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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
以创建定制的 SSR。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，支持隔离以保护系统运行，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要散热和足够的气流。每个部分包含一个线圈，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。负载是否具有电阻性，模块化部分和接收器或解调器部分。通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，特别是对于高速开关应用。从而实现高功率和高压SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。还需要散热和足够的气流。每个部分包含一个线圈，最新文章
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